1. 简介
可再生能源系统、电动汽车和便携式电子设备等高性能储能设备的需求不断增加,导致高性能锂离子电池(LIBs)快速发展[1]。传统锂电池面临着锂资源匮乏、成本上升和安全性问题等挑战[2]。因此,开发高安全、高容量、低成本的电极材料已成为未来锂离子电池发展的重要课题[3]。
被称为MXene的二维过渡金属碳化物和/或氮化物,由于其类金属性质、高导电性、表面活性位点丰富、层间距可调和表面末端可调等特点,在储能领域引起了研究热潮[4]。MXene可以表示为Mn+1XnTx(其中M表示早期过渡金属,X表示C和/或N,Tx表示表面末端,如-F、-O和-OH,N = 1~4)。碳化钛(Ti3C2Tx)因其高电子导电性和低离子扩散阻力而成为锂离子电池中应用最广泛的材料。由于活性硫参与反应,VS4中的高硫含量使LIBs达到1196 mAh∙g−1的理论放电容量[5]。因此,构建过渡金属硫化物与碳材料的纳米复合材料已被证明是解决这些问题的有效策略。
Qian[6]等人通过简单的溶剂热反应成功地合成了由无定形碳包覆的多壁碳纳米管衍生的VS4纳米颗粒。Gogotsi[7]等人通过原位硫化Mo2TiC2TxMXene合成了二维MoS2-on-MXene异质结构。Sun[8]等人通过磁热–水热合成法构建了1T-MoS2/Ti3C2MXene异质结构的三维互连网络,并对其电化学存储机制进行了研究。
本文选择Ti3C2TxMXene作为VS4的导电载体,以酸化碳纳米管(CNTs)作为连接剂,通过简单的水热合成策略构建了具有独特三维结构的新型VS4/Ti3C2Tx/CNTs复合物(简称为VTC)。报道了VTC复合物的合成及其锂离子存储性能。该方法可有效制备LIBs电极材料,具有良好的应用前景,为后续开发提供了实验基础。
2. 实验部分
2.1. 实验材料
Ti3AlC2MAX粉末(400目)购自中国佛山新烯科技有限公司。偏钒酸铵(NH4VO3)、硫代乙酰胺(C2H5NS,记为TAA)、无水乙醇(C2H5OH)和氢氟酸(HF, 40% wt%)购自J&K科学有限公司。浓硝酸(HNO3, 68 wt%)购自国药集团化学试剂有限公司。氨水(NH3∙H2O)购自天津江天化工科技有限公司。多壁碳纳米管(MWCNTs)购自成都中科时代纳米能源科技有限公司。浓硫酸(H2SO4)购自天津丰川化学试剂科技有限公司。所有化学试剂均直接使用,无需进一步处理。
2.2. VTC复合材料的制备
首先,将30毫升的去离子水和30毫升乙醇添加到100毫升烧杯中搅拌10分钟获得均匀溶液,然后添加10毫克CNTs、50毫克的多层Ti3C2TxMXene和50 μL 3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)并搅拌5 h。最后,加入0.46 g的NH4VO3搅拌15分钟并添加1.5克TAA搅拌两小时得到均匀溶液。将溶液倒入50 ml反应釜中,在160℃的烘箱中反应12 h。当烘箱温度降至室温时,倒出反应釜中的上清液。将去离子水和乙醇交替加入黑色沉淀物中,在10,000 rmp下离心并倒出上清液,直到上清液pH值达到6。所得沉淀物在−60℃的冷冻干燥机中干燥48小时,得到所需的VTC复合材料。
3. 结果与讨论
Figure1.Flowchart of preparation of VTC composite
图1.VTC复合材料的制备流程图
如图1所示,APTES的加入使多层Ti3C2TxMXene表面带正电荷,并通过静电吸附进一步与CNTs结合。然后在Ti3C2TxMXene层之间加入前驱体NH4VO3和TAA,通过一步水热反应生长出VS4纳米片。
图2(a)为Ti3AlC2MAX、Ti3C2TxMXene、CNTs、VS4和VTC的XRD谱图,可以看出,Ti3AlC2MAX经LiF/HCl刻蚀后得到的多层Ti3C2TxMXene对应的(002)峰位于6.35˚,而Ti3AlC2MAX的(002)峰位于13.08˚。Ti3C2TxMXene的(002)峰向左偏移表明Ti3AlC2MAX中的Al层被成功去除。VTC中同时存在Ti3C2TxMXene和VS4的特征峰以及CNTs的碳峰,表明复合材料的成功合成。VTC的N2吸附脱附等温曲线如图2(b)所示。VTC的比表面积为20.81 m2∙g−1,优异的比表面积将更有利于循环过程中Li+和电子的快速输运,从而进一步提高LIB的性能。
如图3(a)和图4(a)所示,在Ti3AlC2MAX相中蚀刻Al层,得到了类似手风琴的多层Ti3C2TxMXene。图4(b)和图4(c)可以看出VS4为纳米片状结构,CNTs为纳米线结构。图3(b)~(d)为不同放大倍数下VTC的SEM图像,可以看到多层Ti3C2TxMXene片层之间和表面包覆了一层VS4纳米片,并且其中均匀分散着CNTs。有晶格条纹的VTC的HRTEM图如图3(e)~(h)所示,其中图3(e)中1.174 nm和0.33 nm的晶格间距与Ti3C2TxMXene和CNTs的(002)晶面吻合较好。图3(f)中0.267 nm的晶格间距与Ti3C2TxMXene (101)的晶面匹配良好,图3(g)中0.56 nm的晶格间距与VS4(002)的晶面匹配良好。在图3(h)的衍射图像也可以表明VTC材料的制备是成功的。
Figure 2.(a)XRD patterns of Ti3AlC2MAX, Ti3C2TxMXene, CNTs, VS4and VTC. (b) Nitrogen adsorption desorption isotherm curve of VTC
图2.(a) Ti3AlC2MAX、Ti3C2TxMXene、CNTs、VS4和VTC的XRD谱图。(b) VTC的氮气吸附脱附等温曲线
Figure3.(a) SEM images of Ti3C2TxMXene and (b)~(d) VTC; (e)~(g) HRTEM images of VTC with lattice stripes; (h) SAED diffraction patterns of VTC
图3.(a) Ti3C2TxMXene和(b)~(d) VTC的SEM图像;(e)~(g) 带点阵条纹的VTC HRTEM图像;(h) VTC的SAED衍射图
Figure 4.SEM images of Ti3AlC2(a), VS4(b), and CNTs (c)
图4.Ti3AlC2(a)、VS4(b)和CNTs (c)的SEM图像
Figure5.(a) TEM images of VTC; (b)~(f) EDS elemental mappings of VTC
图5.(a) VTC的透射电镜图像;(b)~(f) VTC复合材料的EDS元素映射
Figure 6.XPS full scan spectra of VTC
图6.VTC的XPS全扫描光谱
图5(a)为VTC的TEM图像,图5(b)~(f)为VTC在同一位置的EDS元素映射图,表明Ti、V、S和C元素在VTC中的均匀分布。图6为VTC的XPS全扫描谱图,证实了V、Ti、C和S元素的存在。图7显示了VTC中Ti 2p、V 2p、S 2p和C 1s的高分辨率XPS光谱,在464.8 eV和459.2 eV处的特征峰分别对应Ti3+(Ti-O)的2p1/2和2p3/2。463.3 eV和457.7 eV的特征峰对应Ti2+,461.4 eV和455.8 eV的特征峰对应Ti-C的2p1/2和2p3/2。524.6 eV和517.1 eV附近的特征峰属于V4+2p1/2和2p3/2,而521.8 eV和514.2 eV附近的特征峰属于V2+。S 2p中的峰证明了S的存在,其中164.2 eV附近的特征峰属于sat.,161.8eV和163.1 eV附近的特征峰与
的2p3/2和2p1/2有关。此外,在C 1s的光谱中,289.1、286.8、285.6、284.8和284.2 eV附近的峰分别对应O-C=O、C-O、C-H、C-C和Ti-C键。显然,Ti-C键证明了Ti3C2TxMXene的存在,验证了VTC复合材料的成功制备。
Figure 7.High-resolution XPS spectra for Ti 2p, V 2p, S 2p and C 1s of VTC
图7.VTC的Ti 2p, V 2p, S 2p和C 1s的高分辨率XPS光谱
Figure8.(a) CV curves of VTC electrode over a voltage window of 0.01~3.0 V at a scan rate of 0.5 mV∙s−1; (b) GCD profiles of VTC electrode at a current density of 0.1 A∙g−1; (c) Rate characteristics of Ti3C2Tx, VS4and VTC electrodes at different current densities of 0.1, 0.2, 0.5, 1, and 2 A∙g−1; (d) Cycling performance of Ti3C2Tx, VS4and VTC electrodes at a current density of 0.1 A∙g−1
图8.(a) 扫描速率为0.5 mV∙s−1时,电压窗为0.01~3.0 V的VTC电极CV曲线;(b) 电流密度为0.1 A∙g−1时VTC电极的GCD曲线;(c) Ti3C2Tx、VS4和VTC电极在0.1、0.2、0.5、1和2 A∙g−1不同电流密度下的速率特性;(d) Ti3C2Tx、VS4和VTC电极在0.1 A∙g−1电流密度下的循环性能
Figure 9.GCD profiles of Ti3C2TxMXene and VS4at a current density of 0.1 A∙g−1
图9.Ti3C2TxMXene和VS4在0.1 A∙g−1电流密度下的GCD谱图
在图8(a)的CV曲线的第一圈中发现了两个还原峰,分别为1.13 V和1.51 V。在1.51 V处的另一个还原峰与VTC中元素V从V4+还原到V2+有关。对应的在2.05 V和2.54 V的氧化峰与V2+的氧化有关,CV曲线在下一个循环开始可以很好地重叠,表明VTC具有优越的循环稳定性和可逆性。图9和图8(b)分别为Ti3C2TxMXene、VS4和VTC的GCD曲线。VTC的第一次循环放电容量为1800 mAh∙g−1,三次循环后放电容量仍为1416 mAh∙g−1。初始阶段的不可逆容量损失主要归因于SEI膜。
Figure 10.GCD profiles of Ti3C2TxMXene, VS4and VTC at a current density of 0.1, 0.2, 0.5, 1, and 2 A∙g−1
图10.Ti3C2TxMXene、VS4和VTC在0.1、0.2、0.5、1和2 A∙g−1电流密度下的GCD曲线
图10显示了VTC在各电流密度下的可逆容量均高于其他比较样品。当电流密度从2 A∙g−1降低到0.1 A∙g−1时,VTC能够迅速恢复到767 mAh∙g−1的高容量,这表明其具有良好的可逆性。图8(d)显示了在0.1 A∙g−1电流密度下,VTC循环200次后比容量仍可达到1397 mAh∙g−1,明显高于其他比较样品,说明VTC材料具有优异的循环稳定性。事实上,与文献中先前报道的锂离子电池中基于MXene的电极相比,VTC具有良好的锂存储性能(表1)。
Table1.Comparison of VTC with other MXene-based anode materials for LIBs
表1.VTC与其他MXene基锂离子电池负极材料的比较
Samples |
Current density (A∙g−1) |
First reversible charge capacity (mAh∙g−1) |
Cyclic stability specific capacity mAh∙g−1(number of cycles) |
Ref. |
VTC |
0.1 |
1800.0 |
1397@0.1 A∙g−1(200) |
This work |
TiO2/Ti3C2Tx |
0.1 |
368.2 |
282.3@0.1 A∙g−1(200) |
[9] |
VS4@L-Ti3C2Tx |
0.1 |
1591.0 |
721@1 A∙g−1(500) |
[10]
|
CuO/MXene |
0.1 |
742.9 |
281@0.1 A∙g−1(400) |
[11] |
如图11所示,Nyquist曲线在高频区为半圆,在低频区为斜线。在高频区,半圆直径越小,电荷转移速率越快,越有利于电荷转移;在低频区,斜线的斜率越大,电子迁移能力越强。VTC的电化学性能明显优于VS4和Ti3C2TxMXene。等效电路模型图及拟合结果如表2所示,其中主要包括与Li+扩散行为相关的欧姆电阻Rs和电荷转移电阻Rct。从表2的拟合结果可以看出,VTC的Rct值为204.1 Ω,低于VS4的377.9 Ω和Ti3C2TxMXene的904.3 Ω。Rs值5.40 Ω也远低于VS4的11.29 Ω和Ti3C2TxMXene的13.29 Ω。
Figure11.EIS curves of Ti3C2TxMXene, VS4and VTC
图11.Ti3C2Tx、MXene、VS4和VTC的EIS曲线
Table2.Detailed parameters in the impedance fitting circuit diagram
表2.阻抗拟合电路图中的详细参数
Samples |
Rs(Ω) |
Rct(Ω) |
Ti3C2Tx |
13.29 |
904.30 |
VS4 |
11.29 |
377.90 |
VTC |
5.40 |
204.10 |
如图12(a)所示,通过研究不同扫描速率下的CV曲线,可以探索VTC的容量存储机制。由于VTC复合电极具有优异的可逆性,在增加扫描速率的情况下,CV曲线的形状基本保持不变。通过分析峰值电流(ip)与扫描速率(ν)的关系,即公式(1)中的b值可以分析电容/扩散效应的贡献:
(1)
如图12(b)所示,根据CV测试中log(ip)与log(ν)曲线的斜率,可以区分当前电化学过程是扩散控制还是表面控制。对于半无限线性扩散控制的氧化还原反应,如果电流i随ν的0.5次方变化,则为电池行为;如果电流i随ν线性变化,则为表面控制反应,即电容行为。因此,对于任何材料,都可以通过求解式中b的值来确定反应的类型。为了进一步了解储能机理,我们使用(2)式来估计电容行为和Li+扩散行为各自的贡献:
(2)
其中k1v表示电容行为产生的电流,k2v1/2表示扩散控制产生的电流。由图12(b)可知,VTC的阴极峰和阳极峰的b值分别为0.8和0.87,阳极峰的b值分别为0.72和0.68,表明VTC的容量存储机制是一个扩散和电容共同控制的过程。如图12(c)所示,在1 mV∙s−1扫描速率下,VTC的容量贡献为66.18%。在图12(d)中,随着扫描速率的增加,导致电极表面的化学反应速率增大,进而使得电容行为的贡献逐渐增大。
Figure12.(a) CV curves of VTC electrode at different scan rates; (b) Log(i) versus log(ν) plots for the anodic and cathodic peak current; (c) CV curve of the VTC electrode with calculated capacitive contribution in the shaded region at 1.0 mV∙s−1; (d) Contribution ratio of the capacitive and diffusion-controlled charge storage versus different scan rates for the VTC electrode
图12.(a) 不同扫描速率下VTC电极的CV曲线;(b) 阳极和阴极峰值电流的Log(i)和Log(ν)图;(c) 阴影区计算电容贡献的VTC电极在1.0 mV∙s−1下的CV曲线;(d) 电容和扩散控制电荷存储对VTC电极不同扫描速率的贡献率
4. 结论
综上所述,我们采用简单的一步水热法合成了具有独特三维结构的VTC复合材料。通过XRD、BET、XPS、SEM、TEM等表征方法对材料的组成、结构和性能进行了探索和验证。将VTC作为锂离子电池的负极材料,在0.1 A∙g−1电流密度下显示出1800 mAh∙g−1的高容量,在0.1 A∙g−1电流密度下循环200次后仍可以保持1397 mAh∙g−1的比容量。Ti3C2TxMXene纳米片表面包覆的VS4可以有效地防止Ti3C2TxMXene的堆积,促进电子转移,而CNTs的引入可以有效地将MXene和VS4连接在一起,从而防止结构坍塌,提高循环稳定性,增强电导率,缩短Li+的扩散路径,从而提高了VTC的储锂性能。