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Transmission and Distribution Engineering and Technology
输配电工程与技术, 2012, 1, 41-45
http://dx.doi.org/10.12677/tdet.2012.12007
Published Online December 2012 (//www.abtbus.com/journal/tdet.html)
Simulation and Analysis of Very Fast Transient Overvoltage in
Extra High Voltage GIS
*
Baina He
1
, Yunwei Zhao2, Xi n h u i Zhang1
1
College of Electric and Electronic Engineering, Shandong University of Technology, Zibo
2
Department of Electric Engineering, Shandong Vocational College of Industry, Zibo
Email: hbn770425@163.com
Received: Nov. 17
th
, 2012; revised: Nov. 28th, 2012; accepted: Dec. 3rd, 2012
Abstract:
Taking a 550kV Gas Insulation Switchger (GIS) substation in the South as the object of study, the corre-
sponding GIS internal structure model was established according to the structure of GIS in the paper. In the single mo-
tor single line conditions, very fast transient overvoltage (VFTO) caused by disconnector in GIS are simulated. In the
paper, the effect of structure parameters of GIS on VFTO was studied, and the influence factors of VFTO were analyzed
from multiple perspectives, such as GIS internal and external factors, and so on.
Keywords:
Very Fast Transient Overvoltage; Disconnector; Residual Voltage; Simulation
超高压
GIS
中快速暂态过电压的仿真分析*
何柏娜
1
,赵云伟 2,张新慧 1
1
山东理工大学电气与电子工程学院,淄博
2
山东工业职业学院电气工程系,淄博
Email: hbn770425@163.com
收稿日期:
2012
年11月
17 日;修回日期:
2012
年11月
28日;录用日期:
2012
年
12
月3日
摘
要:本文以南方某550 kV GIS 电站为研究对象,从GIS 结构出发,建立相应的 GIS 内部结构模型,在单机
单出线工况下,对
GIS 隔离开关操作引起的快速暂态过电压进行仿真。研究
GIS
的结构参数对快速暂态过电压
的影响,并从
GIS 内部、外部等多角度来分析
VFTO 的影响因素。
关键词:
快速暂态过电压;隔离开关;残余电压;仿真
1.
引言
GIS
变电站虽然造价昂贵,但以其特有的优点在
电力系统中得到广泛的应用。随着
GIS
电压等级的提
高,其经济优势更趋于明显,
GIS 的应用和发展前景
可观。近年来,
GIS隔离开关操作引起的绝缘故障问
题已呈上升趋势
[1,2]
,并且随着我国电网运行电压等级
的提高,在超高压
GIS
中,快速暂态过电压(Very Fast
Transient Overvoltage,
简称 VFTO)己成为使变电站设
备产生故障的主要原因之一,
VFTO 给电力系统带来
的危害已受到人们普遍关注,成为国内国际高压领域
的研究热点
[3,4]
。因此,深入开展 GIS 中VFTO 及相
关内容研究
[5,6]
,分析GIS 绝缘性能,有效提高GIS
运行可靠性与稳定性,对我国稳步发展特高压工程建
设,占领技术至高点,具有重大意义
[7,8]。
2. VFTO
产生机理
GIS
中产生较大危害的情况主要是由隔离开关操
作引起的
VFTO。隔离开关动作缓慢使触头间在分合
*
资助项目:山东理工大学科技计划资助项目(103233)和博士科研启
动基金
(411019),山东省自然科学基金(ZR2010EL009)。
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超高压
GIS
中快速暂态过电压的仿真分析
操作时产生多次重燃,并伴随燃弧、熄弧现象,在隔
离开关触头间隙两端出现上升速度
(一般是纳秒级
)
极
快的电压陡波,该电压陡波在
GIS
内部传输线上传播,
遇到波阻抗改变就发生折射和反射,多次折反射的行
波分量叠加在一起,从而形成波头很陡、幅值较高的
快速暂态过电压
[9,10]
。
VFTO
波形具有波头上升时间短、振幅高等特点。
VFTO
波头上升时间主要取决于系统参数,振荡频率
取决于
GIS 的布置。冲击陡波沿隔离开关断口向两侧
母线传播,传播速度略小于光速,因为连接的电气设
备不同,节点处的阻抗值不同,在此处发生折反射,
使
VFTO 波形越来越复杂。通常 VFTO 最大值出现在
与被开断母线相连的断路器处,或母线开路端口。
3. 550 kV GIS
内部
VFTO 仿真计算
3.1. 550 kV GIS
工程介绍
本文以我国南方某抽水蓄能电站
550 kV GIS变
电站为背景,对隔离开关操作产生的
VFTO 进行研究。
该电站装有
4
台
250 MW
可逆式抽水蓄能机组和4台
300 MVA
、525 ± 2 × 2.5%/15.75
主变压器,每两组发
电电动机–变压器单元在
500 kV
侧联合成一回进线,
在
500 kV内侧采用内桥接线,变电站的主变压器中
性点均采用中性点直接接地方式。
3.2.
隔离开关操作方式
该
GIS 变电站采用两个机组,四台变压器供电,
两回
500 kV
出线。电站为电网调峰、填谷、调频、
调相等紧急事故提供保证,图
1
给出该抽水蓄能电站
电气接线示意图。
根据变电站接线图,确定几种操作方式:方式
1:
将
CB12、CB11、DS13 断开,然后操作DS14 ;方式
2
:在
CB12、CB11、CB22 断开时,将 DS14 闭合,
操作
DS13;方式 3:CB12闭合,DS11、DS23 断开,
CB11
、
CB22
断开,操作DS12
。
计算时不考虑隔离开关在整个开合过程中的动
态特性,模拟一次电弧重燃,通常只考虑重燃时出现
的最严重情况,即母线的残余电压为电源反极性峰
值,电源侧电压为正极性峰值,并且此时开关电源侧
电压为
1.0 p.u.
,负载侧电压为–1.0 p.u.,计算时间为
1
μs
,由于VFTO
持续时间很短,所以在相应的计算
TM1
TM2
TM3 TM
4
LA1 LA2
DS1DS2DS3DS4
DS14
CB12
DS13
DS12
CB11
DS11
DS21
CB21
DS22
DS23
CB22
DS24
Figure 1. 550 kV GIS substation wiring diagram
图
1. 550 kV GIS变电站接线示意图
时间内,电源可以看作是恒压源。
VFTO
源于
GIS 内部,经过高压电缆和油气管传
播到
GIS 外部变压器等设备,为计算各操作点 VFTO
的幅值,进而分析各点
VFTO 幅值的波形特点。下面
给出变电站整体的计算模型,如图
2
所示。
为方便计算等效,选取单机单出线的方式
1对该
系统进行模拟仿真,得到在不同操作点处的
VFTO 波
形,进行比较对照,得出结论进而采取相应的抑制措
施。图
3给出 550 kV GIS 单机单出线接线图。
3.3.
仿真结果
根据变电站的接线及
GIS
各元件的参数,搭建仿
真模型如图
4所示,选取隔离开关
DS1
、变压器入口
电容、高压电缆终端接口、操作隔离开关、避雷器等
几处作为
VFTO 的测量点,进行分析。
在不同操作方式下操作隔离开关,
GIS 内部暂态
过程产生的
VFTO 幅值也不同,对
GIS
设备绝缘产生
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超高压
GIS
中快速暂态过电压的仿真分析
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Figure 2. 550 kV GIS substation calculation model
图
2. 550 kV GIS变电站计算模型
TM1
DS1
LA
VT
CB12 DS13
DS12 CB11
ES ESES
DS11
DS14
Figure 3. 550 kV GIS single motor single line wiring diagram
图
3. 550 kV GIS单机单出线接线图
Figure 4. Simulation model of motor single line wiring diagram
图
4. 单机单出线仿真模型
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超高压
GIS
中快速暂态过电压的仿真分析
不同程度的威胁,下面给出操作方式
1
下各关键设备
处
VFTO 的仿真波形。
由图
5仿真结果可知,断路器
CB11 处VFTO 幅
值最大达到
1.45 p.u.
,对设备的危害极大,当此电压
波在管线上传播时,
VFTO幅值逐渐衰减。由图 6可
知,方式
1
下操作隔离开关 DS11 时,VFTO 幅值较
高,但随着时间的推移,
VFTO 衰减速率很快,最后
在一定的幅值范围内进行振荡,整体来说,
VFTO 的
幅值较小。
通过图
7
的仿真波形可知,MOA 对过电压波具
有削平电压峰值的作用,当过电压传到
MOA
处时,
VFTO
的幅值不会骤升,在一定的幅值范围内振荡,
对设备的危害性不是太大。
4. VFTO
的影响因素
从系统接线方式和
VFTO 计算等效模型来看,
VFTO
的影响因素应从二方面来考虑:一是 GIS 内部
因素,如断路器等部件的等效参数及母线的波阻抗和
波速等;二是
GIS外部因素,连接
GIS
与变压器的设
备套管、电缆等,变压器出口电容和其他一些影响因
素。本文着重从
GIS
内部因素中的母线残余电荷和
Figure 5. VFTO of CB11 under operation model 1
图
5. 操作方式 1下
CB11 处的 VFTO
Figure 6. VFTO of DS11 under operation model 1
图
6. 操作方式 1下
DS11 处VFTO
Figure 7. VFTO of MOA under operation model 1
图
7. 操作方式 1下
MOA
处的 VFTO
GIS
外部因素中变压器入口电容对 VFTO 的影响进行
仿真分析。
4.1.
残余电荷电压对
VFTO 的影响
从绝缘配合的角度来说,
GIS 中VFTO幅值一直
是研究者最关心的。当隔离开关开断带电
GIS 线路时,
可能有多余电荷残留在此短线上,残留电荷产生的电
位会因为电荷的泄漏而逐渐降低,因此线路上留有较
高的残余电荷会使
VFTO
幅值升高,给设备带来很大
的威胁,但母线上留有残余电荷的现象很难避免。
为说明残余电荷电压对
VFTO
幅值的影响,保持
其他条件不变,设残余电荷电压为
–1.0 p.u.和–0.3 p.u.
对断路器端口
VFTO 进行仿真,结果如图
8和图
9所
示。
从仿真结果看出残余电荷电压对
VFTO幅值影响
很大,残余电荷电压越大,
VFTO 幅值越大,陡度也
越高,对设备影响就越大,这主要是开断前母线上的
电荷很多,而泄漏很慢,因而残余电荷电压较高。
4.2.
变压器入口电容对
VFTO 的影响
GIS
内部和外部因素都对 VFTO
造成一定的影
响,本文主要考虑变压器本身入口电容对变压器端部
VFTO
幅值和频率的影响,变压器入口电容与其电压
等级、结构大小以及容量有关。变压器电压等级越高,
额定功率越大,其入口电容相对较大。通过对变压器
入口电容对
VFTO
幅值的影响进行仿真,对仿真数据
进行分析得到结论:随着电压等级的提高以及变压器
Figure 8. VFTO of CB11 when residual charge voltage is –1.0 p.u.
图
8. 残余电荷电压为–1.0 p.u.时CB11 端口处 VFTO
Figure 9. VFTO of CB11 when residual charge voltage is –0.3 p.u.
图
9. 残余电荷电压为–0.3 p.u.时CB11 端口处 VFTO
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超高压
GIS
中快速暂态过电压的仿真分析
Figure 10. VFTO of CB11 when transformer entrance capacitance
is 2000 pF
图
10. 变压器入口电容为 2000 pF时
CB11 端口处 VFTO
Figure 11. VFTO of CB11 when transformer entrance capacitance
is 10,000 pF
图
11.
变压器入口电容为 10,000 p F时
CB11 端口处 VFTO
入口电容的增大,作用在主变压器端部的
VFTO 幅值
有下降的趋势,
GIS内部其它节点的过电压幅值基本
不受影响。
以变压器入口电容为
2000 pF
和10,000 pF为例,
对断路器处
VFTO 进行仿真,仿真结果如图 10 和图
11
所示。
由仿真结果可知,变压器入口电容发生变化不仅
对
VFTO 幅值有很大影响,而且频率也发生变化,不
同电容值出现不同的振荡频率。变压器入口电容增
大,
VFTO
幅值有所降低,再加上电容器对高频分量
的过滤作用,振荡频率随变压器入口电容值的增大而
减小。
5.
结论
本文针对气体绝缘变电站中
VFTO
特性,产生机
理及影响因素,结合南方某
550 kV GIS
变电站为例进
行仿真研究,建立变电站的仿真计算模型。
550 kV GIS
内部
VFTO 幅值总体来说不是很大,
作用在主变压器入口处的过电压比较低,避雷器处的
VFTO
幅值也在一定的电压范围内。GIS 内部对 VFTO
幅值影响最大的因素是母线残余电荷电压,与
VFTO
的幅值呈线性关系。其次,影响
VFTO 幅值和陡度的
主要因素是变压器入口电容,
VFTO 幅值和振荡频率
随入口电容的增大而减小。
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